Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

sales@angeltondal.com

86-755-89992216

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.
HomeProductesAccessoris industrials de mòduls intel·ligentsEspecificacions del mòdul de memòria UDIMM DDR3

Especificacions del mòdul de memòria UDIMM DDR3

Tipus de pagament:
L/C,T/T,D/A
Incoterm:
FOB,EXW,CIF
Min. Ordre:
1 Piece/Pieces
Transport:
Ocean,Air,Express,Land
  • Descripció del producte
Overview
Atributs del producte

Model núm.NSO4GU3AB

Capacitat de subministrament i informaci...

TransportOcean,Air,Express,Land

Tipus de pagamentL/C,T/T,D/A

IncotermFOB,EXW,CIF

Embalatge i lliurament
Unitats de venda:
Piece/Pieces

4GB 1600MHz 240 pins DDR3 UDIMM


Historial de versions

Revision No.

History

Draft Date

Remark

1.0

Initial Release

Apr. 2022

 

Taula d'informació de la comanda

Model

Density

Speed

Organization

Component Composition

NS04GU3AB

4GB

1600MHz

512Mx64bit

DDR3 256Mx8 *16


Descripció
DIMMS SDRAM SDRAM no desbordat de Hengstar (Mòduls de memòria de doble velocitat de doble velocitat de doble taxa síncrona) són mòduls de memòria de funcionament de baixa potència i d’alta velocitat que utilitzen dispositius SDRAM DDR3. NS04GU3AB és un producte de 512 m x 64-bit de dos rang DDR3-1600 CL11 1.5V SDRAM SDRAM DIMM DIMM, basat en components FBGA de setze 256 m x 8 bits. El SPD està programat a la latència estàndard JEDEC DDR3-1600 de l'11-11-11 a 1.5V. Cada DIMM de 240 pins utilitza els dits de contacte d'or. El SDRAM Unbuffered DIMM està destinat a l'ús com a memòria principal quan s'instal·la en sistemes com ara ordinadors i estacions de treball.


Característiques
Power Subministrament: VDD = 1,5V (1.425V a 1.575V)
VDDQ = 1,5V (1.425V a 1.575V)
800mHz FCK per a 1600 MB/seg/PIN
8 Banc intern independent
 Latència de CASpramable: 11, 10, 9, 8, 7, 6
 Latència additiva provocable: 0, Cl - 2 o Cl - 1 rellotge
8-bit Pre-Bit
 Longitud d’abandonament: 8 (interlleave sense cap límit, seqüencial només amb l’adreça inicial “000”), 4 amb TCCD = 4 que no permet llegir ni escriure sense problemes [ni a la mosca mitjançant A12 o MRS]
 Estrobosc de dades diferencials-directes-directes
 Calibració Internal (Self); Calibració interna a través del pin ZQ (RZQ: 240 ohm ± 1%)
 En la terminació de la matriu mitjançant el pin ODT
Peratge Període de refresc 7,8US a menys de TCase 85 ° C, 3,9US a 85 ° C <Tcase <95 ° C
 Restablir -se a la pantalla
 Força de la unitat de sortida de dades de sortida de dades
 Topologia de Flyfly-By
PCB: alçada 1,18 ”(30mm)
Rohs compatible i sense halògens


Paràmetres de sincronització clau

MT/s

tRCD(ns)

tRP(ns)

tRC(ns)

CL-tRCD-tRP

DDR3-1600

13.125

13.125

48.125

2011/11/11


Taula d'adreces

Configuration

Refresh count

Row address

Device bank address

Device configuration

Column Address

Module rank address

4GB

8K

32K A[14:0]

8 BA[2:0]

2Gb (256 Meg x 8)

1K A[9:0]

2 S#[1:0]


Descripcions de PIN

Symbol

Type

Description

Ax

Input

Address inputs: Provide the row address  for ACTIVE commands, and the column
address and auto precharge bit (A10) for READ/WRITE commands, to select one location
out of the memory array in the respective bank. A10 sampled during a PRECHARGE
command determines whether the PRECHARGE applies to one bank (A10 LOW, bank
selected by BAx) or all banks (A10 HIGH). The address inputs also provide the op-code
during a LOAD MODE command. See the Pin Assignments table for density-specific
addressing information.

BAx

Input

Bank address inputs: Define the device bank to which an ACTIVE, READ, WRITE, or
PRECHARGE command is being applied. BA define which mode register (MR0, MR1,
MR2, or MR3) is loaded during the LOAD MODE command.

CKx,
CKx#

Input

Clock: Differential clock inputs. All control, command, and address input signals are
sampled on the crossing of the positive edge of CK and the negative edge of CK#.

CKEx

Input

Clock enable: Enables (registered HIGH) and disables (registered LOW) internal circuitry
and clocks on the DRAM.

DMx

Input

Data mask (x8 devices only): DM is an input mask signal for write data. Input data is
masked when DM is sampled HIGH, along with that input data, during a write access.
Although DM pins are input-only, DM loading is designed to match that of the DQ and DQS pins.

ODTx

Input

On-die  termination:  Enables  (registered  HIGH)  and  disables  (registered  LOW)
termination resistance internal to the DDR3 SDRAM. When enabled in normal operation,
ODT is only applied to the following pins: DQ, DQS, DQS#, DM, and CB. The ODT input will be ignored if disabled via the LOAD MODE command.

Par_In

Input

Parity input: Parity bit for Ax, RAS#, CAS#, and WE#.

RAS#,
CAS#,
WE#

Input

Command inputs: RAS#, CAS#, and WE# (along with S#) define the command being
entered.

RESET#

Input
(LVCMOS)

Reset: RESET# is an active LOW asychronous input that is connected to each DRAM and
the registering clock driver. After RESET# goes HIGH, the DRAM must be reinitialized as
though a normal power-up was executed.

Sx#

Input

Chip select: Enables (registered LOW) and disables (registered HIGH) the command
decoder.

SAx

Input

Serial address inputs: Used to configure the temperature sensor/SPD EEPROM address
range on the I2C bus.

SCL

Input

Serial
communication to and from the temperature sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

CBx

I/O

Check bits: Used for system error detection and correction.

DQx

I/O

Data input/output: Bidirectional data bus.

DQSx,
DQSx#

I/O

Data strobe: Differential data strobes. Output with read data; edge-aligned with read data;
input with write data; center-alig

SDA

I/O

Serial
sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

TDQSx,
TDQSx#

Output

Redundant data strobe (x8 devices only): TDQS is enabled/disabled via the LOAD
MODE command to the extended mode register (EMR). When TDQS is enabled, DM is
disabled and TDQS and TDQS# provide termination resistance; otherwise, TDQS# are no
function.

Err_Out#

Output (open
drain)

Parity error output: Parity error found on the command and address bus.

EVENT#

Output (open
drain)

Temperature event: The EVENT# pin is asserted by the temperature sensor when critical
temperature thresholds have been exceeded.

VDD

Supply

Power supply: 1.35V (1.283–1.45V) backward-compatible to 1.5V (1.425–1.575V). The
component VDD and VDDQ are connected to the module VDD.

VDDSPD

Supply

Temperature sensor/SPD EEPROM power supply: 3.0–3.6V.

VREFCA

Supply

Reference voltage: Control, command, and address VDD/2.

VREFDQ

Supply

Reference voltage: DQ, DM VDD/2.

VSS

Supply

Ground.

VTT

Supply

Termination voltage: Used for control, command, and address VDD/2.

NC

No connect: These pins are not connected on the module.

NF

No function: These pins are connected within the module, but provide no functionality.

Notes La taula de descripció del PIN següent es mostra una llista completa de tots els pins possibles per a tots els mòduls DDR3. Tots els pins enumerats poden no es comptabilitza en aquest mòdul. Consulteu les tasques de PIN per obtenir informació específica per a aquest mòdul.


Diagrama de blocs funcionals

Mòdul 4GB, 512MX64 (2Rank of x8)

1


2


Nota:
1. La bola ZQ de cada component DDR3 està connectada a una resistència externa de 240Ω ± 1% que està lligada a terra. S'utilitza per a la calibració del controlador de terminació i sortida del component.



Dimensions del mòdul


Vista frontal

3

Vista frontal

4

Notes:
1. Totes les dimensions es troben en mil·límetres (polzades); Màxim/min o típic (typ) on s’indica.
2. Tolerància a totes les dimensions ± 0,15 mm, tret que s’especifiqui el contrari.
3. El diagrama dimensional només és de referència.

Categories de productes : Accessoris industrials de mòduls intel·ligents

Envieu un correu electrònic a aquest proveïdor
  • *Assignatura:
  • *A:
    Mr. Jummary
  • *Correu electrònic:
  • *Missatge:
    El missatge ha d'estar entre 20-8000 caràcters
HomeProductesAccessoris industrials de mòduls intel·ligentsEspecificacions del mòdul de memòria UDIMM DDR3
Envia consulta
*
*

Inici

Product

Phone

Sobre nosaltres

Investigació

Ens posarem en contacte amb vosaltres de manera immediata

Empleneu més informació perquè es pugui posar en contacte amb vosaltres més ràpidament

Declaració de privadesa: la vostra privadesa és molt important per a nosaltres. La nostra empresa promet no divulgar la vostra informació personal a cap exposició amb els vostres permisos explícits.

Enviar